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研究方向

以氮化镓（GaN）、碳化硅（SiC）和氧化锌（ZnO）为代表的宽禁带半导体是继硅和砷化镓（GaAs）之后的第三代半导体材料，具有高击穿电场、高饱和电子速度、高热导率、高电子密度、高迁移率等特点，可实现高压、高温、高频、大功率、抗辐射微波毫米波器件和短波长光电半导体器件。

主要研究方向：

Ø 宽带隙半导体的理论研究

Ø 宽带隙半导体材料生长方法与技术

Ø 宽带隙半导体器件与应用研究

Ø 新型非硅集成电路技术研究

Ø 超宽禁带半导体材料与器件应用研究

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